دوره 6، شماره 20 - ( فروردين 1388 )
جلد 6 شماره 20 صفحات 78-71 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
موسوی سیدجواد ، پوراحمد پگاه ، جاویدجم آمنه ، پورحبیب یکتا اعظم . شبیه سازی ویژگی های الکترونیکی فاز فروالکتریک تیتانات سرب. تحقیق در عملیات در کاربردهای آن. 1388; 6 (20) :71-78
چکیده: (8942 مشاهده)
در این مقاله ما به بررسی و محاسبه نظری خواص ساختاری، الکترونی تیتانات سرب PbTiO3در فاز تتراگونال و در چارچوب نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته کامل (FP-LAPW) با تقریب های چگالی موضعی(LDA) ، گرادیان چگالی(GGA) ، روش Engle-Vosko (EVA) و GGA+U پرداخته ایم. نتایج حاصل از بررسی ساختار الکترونی و چگالی حالات برای PbTiO3، گاف انرژی مستقیمی را در نقطه کریستالوگرافی X و در منطقه اول بریلوئن نشان می دهند. مقدار گاف انرژی PbTiO3در فاز تتراگونال با استفاده از تقریب های چگالی موضعی (LDA)، گرادیان چگالی (GGA)، روش Engleـ Voskoدر محدوده 2 تا 2.3 الکترون ولت محاسبه شد که این مقادیر به مقادیر حاصل از تجربه و آزمایش های انجام شده چندان نزدیک نیست. با استفاده از روش GGA+U مقدار گاف انرژی این فاز بسیار دقیق محاسبه گردید که مقدار آن 3.5 الکترون ولت است و در توافق بسیار خوب با مقدار تجربی است. چگالی الکترونی این ماده نیز در اطراف هر یک از اتم هایTi ،Pb و O محاسبه گردید.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
