جستجو در مقالات منتشر شده


۲ نتیجه برای گاف انرژی

، احمدی محمدهادی، موسوی سیدجواد، چراغ چی حسین،
دوره ۲، شماره ۷ - ( ۱۰-۱۳۸۴ )
چکیده

ویژگی های ساختاری تیتانات کلسیم که از محاسبه ساختار باندی و خواص الکترونیکی تیتانات کلسیم به دستمی آید مورد بررسی قرار گرفته است. در این راستا معادلات بس ذره ای مربوط به کوهن شم که از معادلات شرودینگر منشا می گیرند حل گردید.عموما حل معادلات چند ذره ای به شکل تحلیلی برای سیستم های بزرگ چند الکترونی کار ساده ای نیست. در نتیجه از روش های مختلف وابسته به محاسبات کامپیوتر استفاده می شود. از جمله این روش ها می توان به روش شبیه سازی و استفاده از نرم افزارهای مربوطه اشاره نمود.در این مقاله با استفاده از شبیه سازی کامپیوتری ساختار باندی، چگالی حالات الکترونی و برخی از ویژگی های الکترونیکی تیتانات کلسیم در فاز مکعبی به دست آورده شد به طوری که نتایج حاصل با نتایج تجربی گزارش شده بسیار نزدیک است.
، موسوی سیدجواد، پوراحمد پگاه، جاویدجم آمنه، پورحبیب یکتا اعظم،
دوره ۶، شماره ۲۰ - ( ۱-۱۳۸۸ )
چکیده

در این مقاله ما به بررسی و محاسبه نظری خواص ساختاری، الکترونی تیتانات سرب PbTiO۳در فاز تتراگونال و در چارچوب نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته کامل (FP-LAPW) با تقریب های چگالی موضعی(LDA) ، گرادیان چگالی(GGA) ، روش Engle-Vosko (EVA) و GGA+U پرداخته ایم. نتایج حاصل از بررسی ساختار الکترونی و چگالی حالات برای PbTiO۳، گاف انرژی مستقیمی را در نقطه کریستالوگرافی X و در منطقه اول بریلوئن نشان می دهند. مقدار گاف انرژی PbTiO۳در فاز تتراگونال با استفاده از تقریب های چگالی موضعی (LDA)، گرادیان چگالی (GGA)، روش Engleـ Voskoدر محدوده ۲ تا ۲,۳ الکترون ولت محاسبه شد که این مقادیر به مقادیر حاصل از تجربه و آزمایش های انجام شده چندان نزدیک نیست. با استفاده از روش GGA+U مقدار گاف انرژی این فاز بسیار دقیق محاسبه گردید که مقدار آن ۳.۵ الکترون ولت است و در توافق بسیار خوب با مقدار تجربی است. چگالی الکترونی این ماده نیز در اطراف هر یک از اتم هایTi ،Pb و O محاسبه گردید.

صفحه ۱ از ۱