امروزه اسیلاتورهای مجتمع کنترل شونده با ولتاژ (VCO) یکی از مهمترین اجزا در کاربرد چیپ در سیستم های مخابراتی می باشد. در این مقاله یک اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ از نوع LC، خطی با پهنای باند وسیع، نویز فاز پایین و جریان مصرفی کم، برای کاربرد در مخابرات بی سیم،طراحی و شبیه سازی شده است. این ساختار مداری که با استفاده از فناوری AMOS 0.35mm SiGe BiCMOS شبیه سازی شده است، شامل ورکتورهای MOS در فرایند CMOS می باشد. برای افزایش کارکرد خطی و پهنای باند گسترده از 3 طبقه موازی MOS ورکتور استفاده شده است. مقدار نویز فاز در فرکانس افست1MHz ، -117.381 dBc/Hzمی باشد و همین طور در فرکانس افست 3MHz برابر با -127.2 dBc/Hz و نسبت تغییرات Kvco، 1.24 GHz/V است. این ساختار پهنای باند فرکانسی در حدود 1GHz داشته و از فرکانس 4.29 GHz تا 5.29 GHz را پوشش می دهد. جریان مصرفی 3.13 mA با ولتاژ 3.2 V، و مقدار FOM برابر با -187.5، عملکرد این مدار را نسبت به مقالات دیگر متمایز می کند.

واژه‌های کلیدی: ورکتور AMOS، فناوری SiGe BiSMOS، اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ (VCO)